RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
37
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3171
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link