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Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
比较
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.1
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.6
16.1
写入速度,GB/s
7.2
12.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2051
3010
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
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