RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
59
Wokół strony -119% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,123.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2186
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link