RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Porównaj
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Wynik ogólny
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
43
Wokół strony -139% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
9.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
43
18
Prędkość odczytu, GB/s
14.9
20.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.6
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2506
3431
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link