RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
59
Wokół strony -146% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2432
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link