RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
59
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
2608
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link