RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
59
Около -79% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
13.6
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
2608
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link