RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
59
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3611
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link