RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,123.3
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
59
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
29
Скорость чтения, Гб/сек
4,833.8
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,123.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
731
3611
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link