RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
59
Wokół strony -111% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,833.8
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,123.3
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
731
3143
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link