RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
77
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
75
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1763
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link