Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB

Unterschiede

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 14.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    75 left arrow 77
    Rund um -3% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 2,622.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 5300
    Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 75
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,405.2 left arrow 14.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 7.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    763 left arrow 1763
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche