RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
72
Wokół strony 4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.0
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
72
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
5.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1428
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link