RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
69
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
39
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3402
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link