RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2261
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link