Porównanie pamięci RAM Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Wynik ogólny

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

35 39

Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

10.2 8.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

7.4 6.2

Średnia wartość w badaniach

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1842 2124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns