Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

総合得点

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

考慮すべき理由
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

35 39

周辺 -11% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s

10.2 8.7

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.4 6.2

テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

39 35
読み出し速度、GB/s

8.7 10.2
書き込み速度、GB/秒

6.2 7.4
メモリ帯域幅、mbps

19200 19200

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1842 2124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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