Comparação RAM Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Pontuação geral

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

35 39

Por volta de -11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

10.2 8.7

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

7.4 6.2

Valor médio nos testes

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1842 2124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns