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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Comparez
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
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Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.2
8.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.4
6.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
8.7
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
6.2
7.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1842
2124
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Frequency (Mhz) *
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