Comparaison de la RAM Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Note globale

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

35 39

Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

10.2 8.7

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.4 6.2

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1842 2124

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns