RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
62
Wokół strony -170% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2763
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5316-059.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link