RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.2
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3666
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link