RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3567
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP536726-H41-ELCUW 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link