RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
76
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1624
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link