RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
76
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
76
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1624
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link