RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2907
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link