RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3312
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link