RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3657
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link