RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Porównaj
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
31
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.2
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
31
Prędkość odczytu, GB/s
14.3
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2227
3360
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link