RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
31
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
21300
Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
31
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
23400
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
3360
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link