RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony -20% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.9
6.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
25
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2427
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link