RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
14.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2427
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link