RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сравнить
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB против Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
31
Скорость чтения, Гб/сек
14.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2227
3360
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Heoriady M378B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link