RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
69
Wokół strony -156% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3514
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link