RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3648
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link