RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
69
Wokół strony -165% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3547
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 99U5471-021.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link