RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Porównaj
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
48
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
48
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
11.5
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1992
2453
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link