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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
比较
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
总分
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
总分
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
48
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
48
读取速度,GB/s
12.3
11.5
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1992
2453
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB RAM的比较
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
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V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
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