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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
比较
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
总分
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
总分
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 11% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
28
读取速度,GB/s
12.1
16.2
写入速度,GB/s
8.6
12.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2045
2487
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB RAM的比较
Swissbit SLN04G64E1BQ2SA-DC 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
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