RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Porównaj
PNY Electronics PNY 2GB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Wynik ogólny
PNY Electronics PNY 2GB
Wynik ogólny
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
PNY Electronics PNY 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
56
Wokół strony 52% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
8.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
8.4
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2274
2235
PNY Electronics PNY 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link