RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
74
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
74
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1779
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link