RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
69
Wokół strony -97% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
3415
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link