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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.8
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
17.2
写入速度,GB/s
1,857.7
15.8
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3415
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
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Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
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