RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
69
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.6
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2998
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology 10242397 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0PS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link