RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
69
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
46
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2660
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link