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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
69
左右 -50% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
46
读取速度,GB/s
4,217.2
16.0
写入速度,GB/s
1,857.7
12.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2660
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XN205T-MIE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
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