RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
60
69
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.2
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
60
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
9.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2136
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link