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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Comparar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Pontuação geral
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Razões a considerar
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
60
69
Por volta de -15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.2
4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.1
1,857.7
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
60
Velocidade de leitura, GB/s
4,217.2
9.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,857.7
7.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
668
2136
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
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