RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2786
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link