RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3663
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link