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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.0
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,241.0
18.9
写入速度,GB/s
1,950.7
15.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3663
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
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