RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
16.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3827
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link